Wzrost epitaksjalny i właściwości warstw poczwórnych na bazie GaSb
- Afiliacje: SL1, SL1.2, SL1.3, SL2, SL2.2
- Data opublikowania (wydrukowania): 2001-01-15
- Strony: 29
- Wolumin: 42 (8-9)
- Autor: Piskorski Maciej, Papis E., Gołaszewska K., Piotrowski T. T., Piotrowska A., Barcz Adam, Zieliński Marcin, Adamczewska Jolanta, Sawicki Maciej
- Tytuł publikacji: Wzrost epitaksjalny i właściwości warstw poczwórnych na bazie GaSb
- Rok: 2001
- Czasopismo / konferencja / monografia: Elektronika - Konstrukcje, Technologie, Zastosowania
Elektronika - Konstrukcje, Technologie, Zastosowania, 42 (8-9) (2001)