Complex diffractometrical investigation of structural and compositional irregularities in GaAs:Si/GaAs films heavily doped with silicon
- Afiliacje: SL1, SL1.3
- Data opublikowania (wydrukowania): 2001-01-01
- Strony: 146-151
- Wolumin: 4
- Autor: Datsenko L., Klad'ko V., Lytvyn P. M.-, Domagała Jarosław Z., Machulin V, Prokopenko I., Molodkin V., Maksimenko Z. V.
- Tytuł publikacji: Complex diffractometrical investigation of structural and compositional irregularities in GaAs:Si/GaAs films heavily doped with silicon
- Rok: 2001
- Czasopismo / konferencja / monografia: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 4 (2001)