Ułatwienia dostępu

Sposób zwiększania intensywności luminescencji zawiesiny kropek kwantowych

  • Tytuł patentu lub wzoru użytkowego: Sposób zwiększania intensywności luminescencji zawiesiny kropek kwantowych
  • Autorzy: Jarosław Kaszewski, Sergiy Yatsunenko, Joanna Grzyb, Michał Godlewski, Urszula Narkiewicz, Marek Godlewski
  • Urząd Patentowy i szczegóły prawa wyłączności: Urząd Patentowy Rzeczpospolitej Polskiej - PL222030, data ogłoszenia 30.06.2016

Czytaj więcej

Przezroczysta struktura tranzystora polowego oraz sposób wykonania przezroczystej struktury tranzystora polowego

  • Tytuł patentu lub wzoru użytkowego: Przezroczysta struktura tranzystora polowego oraz sposób wykonania przezroczystej struktury tranzystora polowego
  • Autorzy: Sylwia Gierałtowska, Łukasz Wachnicki, Elżbieta Guziewicz, Marek Godlewski
  • Urząd Patentowy i szczegóły prawa wyłączności: Urząd Patentowy Rzeczpospolitej Polskiej - PL220830, data ogłoszenia 29.01.2016

Czytaj więcej

Struktura lasera półprzewodnikowego

  • Tytuł patentu lub wzoru użytkowego: Struktura lasera półprzewodnikowego
  • Autorzy: Henryk Teisseyre, Adrian Kozanecki, Michał Szymański
  • Urząd Patentowy i szczegóły prawa wyłączności: Urząd Patentowy Rzeczpospolitej Polskiej - PL221135, data ogłoszenia 29.02.2016

Czytaj więcej

Struktura lasera półprzewodnikowego

  • Tytuł patentu lub wzoru użytkowego: Struktura lasera półprzewodnikowego
  • Autorzy: Henryk Teisseyre, Adrian Kozanecki, Michał Szymański
  • Urząd Patentowy i szczegóły prawa wyłączności: Urząd Patentowy Rzeczpospolitej Polskiej - PL221156, data ogłoszenia 29.02.2016

Czytaj więcej

Czujnik gazów i/lub substancji organicznych oraz sposób wytwarzania czujnika gazów i/lub substancji organicznych

  • Tytuł patentu lub wzoru użytkowego: Czujnik gazów i/lub substancji organicznych oraz sposób wytwarzania czujnika gazów i/lub substancji organicznych
  • Autorzy: Andrzej Stafiniak, Bogusław Boratyński, Iwona Zaborowska-Lindert, Adam Szyszka, Maria Ramiączek-Krasowska, Regina Paszkiewicz, Marek Taczała, Anna Baranowska-Korczyc, Krzysztof Fronc, Danek Elbaum
  • Urząd Patentowy i szczegóły prawa wyłączności: Urząd Patentowy Rzeczpospolitej Polskiej - PL221331, data ogłoszenia 31.03.2016

Czytaj więcej

Niskotemperaturowy sposób wytwarzania epitaksjalnych warstw tlenku cynku // Low temperature process for producing epitaxial layers of zinc oxide

  • Tytuł patentu lub wzoru użytkowego: Niskotemperaturowy sposób wytwarzania epitaksjalnych warstw tlenku cynku // Low temperature process for producing epitaxial layers of zinc oxide
  • Autorzy: Łukasz Wachnicki, Elżbieta Guziewicz, Marek Godlewski
  • Urząd Patentowy i szczegóły prawa wyłączności: Urząd Patentowy Rzeczpospolitej Polskiej - PL222257, data ogłoszenia 29.07.2016

Czytaj więcej

© 2022 IF PAN.  Realizacja Sensorama
logo nava
Ustawienia plików cookies
Do działania oraz analizy naszej strony używamy plików cookies i podobnych technologii. Pomagają nam także zrozumieć w jaki sposób korzystasz z treści i funkcji witryny. Dzięki temu możemy nadal ulepszać i personalizować korzystanie z naszego serwisu. Zapewniamy, że Twoje dane są u nas bezpieczne. Nie przekazujemy ich firmom trzecim. Potwierdzając tę wiadomość akceptujesz naszą Politykę plików cookies.
Zaznacz wszystkie zgody
Odrzuć wszystko
Przeczytaj więcej
Essential
Te pliki cookie są potrzebne do prawidłowego działania witryny. Nie możesz ich wyłączyć.
Niezbędne pliki cookies
Te pliki cookie są konieczne do prawidłowego działania serwisu dlatego też nie można ich wyłączyć z tego poziomu, korzystanie z tych plików nie wiąże się z przetwarzaniem danych osobowych. W ustawieniach przeglądarki możliwe jest ich wyłączenie co może jednak zakłócić prawidłowe działanie serwisu.
Akceptuję
Analityczne pliki cookies
Te pliki cookie mają na celu w szczególności uzyskanie przez administratora serwisu wiedzy na temat statystyk dotyczących ruchu na stronie i źródła odwiedzin. Zazwyczaj zbieranie tych danych odbywa się anonimowo.
Google Analytics
Akceptuję
Odrzucam
Zapamiętaj ustawienia