Effect of cerium impurity on the stable growth of the 4H-SiC polytype by the physical vapour transport method
- Afiliacje: ON1, ON1.1, ON3, {ON3.3}
- Data opublikowania (wydrukowania): 05-05-22
- Impact factor: 1
- Impact factor txt: 1,83
- Strony: 126616
- Wolumin: 586
- Autor: Racka Katarzyna, Tymicki E., Raczkiewicz M., Sar J., Wejrzanowski T., Grasza Krzysztof
- Tytuł publikacji: Effect of cerium impurity on the stable growth of the 4H-SiC polytype by the physical vapour transport method
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.126616
- Rok: 2022
- Czasopismo / konferencja / monografia: Journal of Crystal Growth
Journal of Crystal Growth, 586 (2022)
