Hierarchically porous GaN thin films fabricated using high fluence Ar ion implantation of epitaxial GaN on sapphire
- Afiliacje: ON6, ON6.2, SL3, SL3.1
- Data opublikowania (wydrukowania): 30-09-22
- Impact factor: 2
- Impact factor txt: 2,358
- Strony: 139439-1-7
- Wolumin: 758
- Autor: Borysiewicz M., Juchniewicz M., Prystawko Paweł, Zagojski A., Wzorek A., Ekielski M., Pągowska K., Zaleszczyk Wojciech
- Tytuł publikacji: Hierarchically porous GaN thin films fabricated using high fluence Ar ion implantation of epitaxial GaN on sapphire
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2022.139429
- Rok: 2022
- Czasopismo / konferencja / monografia: Thin Solid Films
Thin Solid Films, 758 (2022)
