Hydrothermally formed copper oxide (CuO) thin films for resistive switching memory devices
- Afiliacje: ON4, ON4.2
- Data opublikowania (wydrukowania): 26-04-22
- Impact factor: 1
- Impact factor txt: 1,916
- Strony: 108357
- Wolumin: 194
- Autor: Mroczyński R., Ożga Monika, Godlewski Marek, Witkowski Bartłomiej
- Tytuł publikacji: Hydrothermally formed copper oxide (CuO) thin films for resistive switching memory devices
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108357
- Rok: 2022
- Czasopismo / konferencja / monografia: Solid-State Electronics
Solid-State Electronics, 194 (2022)
