Laser Irradiation Effect on the p‑GaSe/n-HfS2 PN-Heterojunction for High-Performance Phototransistors
- Afiliacje: ON6, ON6.1, ON6.2
- Data opublikowania (wydrukowania): 22-07-22
- Impact factor: 10
- Impact factor txt: 10,383
- Strony: 35927–35939
- Wolumin: 14
- Autor: Muhammad Zahir, Islam Rajibul, Wang Y., Autieri Carmine, Lv Ziyu, Singh B., Vallobra Pierre, Zhang J., Zhu Ling, Zhao Weisheng
- Tytuł publikacji: Laser Irradiation Effect on the p‑GaSe/n-HfS2 PN-Heterojunction for High-Performance Phototransistors
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsami.2c08430
- Rok: 2022
- Czasopismo / konferencja / monografia: ACS Applied Materials & Interfaces
ACS Applied Materials & Interfaces, 14 (2022)
