Polarization Doping in a GaN-InN System—Ab Initio Simulation
- Afiliacje: ON4, ON4.5
- Data opublikowania (wydrukowania): 31-01-23
- Strony: 227
- Wolumin: 16
- Autor: Ahmad A., Strak P., Kempisty P., Sakowski K., Piechota J., Kangawa Yoshihiro, Grzegory I., Leszczyński M., Żytkiewicz Zbigniew, Muzioł Grzegorz, Monroy E., Kamińska A., Krukowski Stanisław
- Tytuł publikacji: Polarization Doping in a GaN-InN System—Ab Initio Simulation
- DOI: https://doi.org/10.3390/ma16031227
- Rok: 2023
- Czasopismo / konferencja / monografia: Materials
Materials, 16 (2023)
