Thickness dependence of the structural and electrical properties of InAs layers epitaxially grown by MBE on GaAs (001)
- Afiliacje: SL1, SL1.3
- Data opublikowania (wydrukowania): 29-09-00
- Impact factor txt: 0,69
- Strony: 250-254
- Wolumin: 77
- Autor: Wolkenberg Andrzej, Przesławski T., Kaniewski J., Bąk-Misiuk Jadwiga, Regiński K.
- Tytuł publikacji: Thickness dependence of the structural and electrical properties of InAs layers epitaxially grown by MBE on GaAs (001)
- DOI: https://doi.org/10.1016/S0921-5107(00)00498-0
- Rok: 2000
- Czasopismo / konferencja / monografia: Materials Science and Engineering B (Advanced Functional Solid-State Materials)
Materials Science and Engineering B (Advanced Functional Solid-State Materials), 77 (2000)
